Datasheet > CEPF640_08

CEPF640_08

更新时间： 2022-10-21 09:36:03

品牌	Logo	应用领域
华瑞 - CET		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	398K
描述
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

CEPF640_08 数据手册

CEPF640/CEBF640

CEFF640

25 C

V_GS=10,9,8,7V

-55 C

T_J=125 C

V_GS

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

VDS, Drain-to-Source Voltage (V)

VGS, Gate-to-Source Voltage (V)

Figure 1. Output Characteristics

Figure 2. Transfer Characteristics

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

3000

2500

2000

1500

1000

500

I_D=10A

V_GS=10V

iss

oss

rss

-100

-50

100

150

200

VDS, Drain-to-Source Voltage (V)

TJ, Junction Temperature( C)

Figure 3. Capacitance

Figure 4. On-Resistance Variation

with Temperature

1.3

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

V_DS=V_GS

I_D=250µA

_GS=0V

10¹

10⁰

10^-1

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

-50 -25

25 50 75 100 125 150

TJ, Junction Temperature( C)

VSD, Body Diode Forward Voltage (V)

Figure 5. Gate Threshold Variation

with Temperature

Figure 6. Body Diode Forward Voltage

Variation with Source Current

1 234

中文翻译

下载PDF

与CEPF640_08相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
CEPFZ44	CET	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor	获取价格
CEPH145B	SUMIDA	INVERTER	获取价格
CEPH149	SUMIDA	CEPH149	获取价格
CEPH149_06	SUMIDA	Power Inductor< SMD Type : CEPH Series>	获取价格
CEPH149NP-1R0MC	SUMIDA	CEPH149	获取价格
CEPH149NP-1R6MC	SUMIDA	CEPH149	获取价格