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CEP9926

更新时间： 2022-01-18 18:38:00

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描述
20V N Channel MOS

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CEP9926 数据手册

CEP9926/CEB9926

Oct. 2001

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES

20V , 20A , RDS(ON)=30m

@VGS=4.5V.

@VGS=2.5V.

Ω

RDS(ON)=40m

Super high dense cell design for extremely low R^DS(ON)

High power and current handling capability.

TO-220 & TO-263 package.

CEB SERIES

TO-263(DD-PAK)

CEP SERIES

TO-220

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tc=25 C unless otherwise noted)

Limit

Unit

Parameter

Symbol

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current-Continuous @T

-Pulsed

=125 C

Drain-Source Diode Forward Current

Maximum Power Dissipation

@Tc=25 C

Derate above 25 C

0.4

W/ C

Operating and Storage Temperature Range

, TSTG

-65 to 150

THERMAL CHARACTERISTICS

Thermal Resistance, Junction-to-Case

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

C/W

įJC

2.5

62.5

RįJA

4-137

12 3 4 5

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