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CEP76139

更新时间： 2024-01-01 17:43:50

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华瑞 - CET		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	100K
描述
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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CEP76139 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Base Number Matches：	1

CEP76139 数据手册

CEP76139/CEB76139

120

100

V_GS=10,9,8,7,6,5,4V

25 C

_GS=3V

T_J=125C

_GS=2V

-55 C

3.0

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

1.0

1.5

2.0

2.5

3.5

VDS, Drain-to-Source Voltage (V)

VGS, Gate-to-Source Voltage (V)

Figure 1. Output Characteristics

Figure 2. Transfer Characteristics

2.2

1.9

1.6

1.3

1.0

0.7

0.4

4200

3500

2800

2100

1400

700

I_D=40A

V_GS=10V

iss

oss

rss

-100

-50

100

150

200

VDS, Drain-to-Source Voltage (V)

TJ, Junction Temperature( C)

Figure 3. Capacitance

Figure 4. On-Resistance Variation

with Temperature

1.3

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

V_DS=V_GS

I_D=250µA

_GS=0V

10²

10¹

10⁰

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

-50 -25

25 50 75 100 125 150

TJ, Junction Temperature( C)

VSD, Body Diode Forward Voltage (V)

Figure 5. Gate Threshold Variation

with Temperature

Figure 6. Body Diode Forward Voltage

Variation with Source Current

4 - 168

1 234

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