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CED12P10

更新时间： 2022-04-23 23:00:11

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华瑞 - CET		晶体晶体管场效应晶体管
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4页	162K
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P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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CED12P10 数据手册

CED12P10/CEU12P10

10²

V_DS=-80V

I_D=-11A

R_DS(ON)Limit

1ms

10¹

10ms

100ms

10⁰

T_C=25 C

T_J=150 C

Single Pulse

10^-1

10⁰

10¹

10²

10³

Qg, Total Gate Charge (nC)

-VDS, Drain-Source Voltage (V)

Figure 7. Gate Charge

Figure 8. Maximum Safe

Operating Area

V^DD

toff

d(off)

d(on)

OUT

V^IN

90%

10%

90%

OUT

VGS

10%

INVERTED

R^GEN

90%

50%

10%

PULSE WIDTH

Figure 10. Switching Waveforms

Figure 9. Switching Test Circuit

10⁰

D=0.5

0.2

10^-1

0.1

PDM

0.05

0.02

0.01

1. RθJC (t)=r (t) * RθJC

2. RθJC=See Datasheet

3. TJM-TC = P* RθJC (t)

4. Duty Cycle, D=t1/t2

Single Pulse

10^-2

10^-4

10^-3

10^-2

10^-1

10⁰

10¹

10²

Square Wave Pulse Duration (sec)

Figure 11. Normalized Thermal Transient Impedance Curve

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