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CEB50N10

更新时间： 2022-10-21 00:57:20

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华瑞 - CET		晶体晶体管
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4页	426K
描述
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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CEB50N10 数据手册

CEP50N10/CEB50N10

10³

V_DS=80V

I_D=50A

R_DS(ON)Limit

10²

10µs

100µs

1ms

10¹

T_C=25 C

T_J=175 C

Single Pulse

10⁰

10¹

10²

10³

Qg, Total Gate Charge (nC)

VDS, Drain-Source Voltage (V)

Figure 7. Gate Charge

Figure 8. Maximum Safe

Operating Area

V^DD

toff

d(off)

d(on)

OUT

V^IN

90%

10%

90%

OUT

VGS

10%

INVERTED

R^GEN

90%

50%

10%

PULSE WIDTH

Figure 10. Switching Waveforms

Figure 9. Switching Test Circuit

10⁰

D=0.5

0.2

PDM

10^-1

0.1

0.05

0.02

1. Rθ JC (t)=r (t) * Rθ JC

2. Rθ JC=See Datasheet

3. TJM-TC = P* Rθ JC (t)

4. Duty Cycle, D=t1/t2

0.01

Single Pulse

10^-2

10^-1

10⁰

10¹

10²

10³

10⁴

Square Wave Pulse Duration (msec)

Figure 11. Normalized Thermal Transient Impedance Curve

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