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CBR6-L100

更新时间: 2024-09-24 19:52:11
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 二极管
页数 文件大小 规格书
1页 39K
描述
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 6A, 1000V V(RRM), Silicon, CASE D, 4 PIN

CBR6-L100 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Obsolete包装说明:R-PSIP-W4
针数:4Reach Compliance Code:not_compliant
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.27
Is Samacsys:N最小击穿电压:1000 V
配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.1 V
JESD-30 代码:R-PSIP-W4JESD-609代码:e0
最大非重复峰值正向电流:200 A元件数量:4
相数:1端子数量:4
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:6 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:1000 V子类别:Bridge Rectifier Diodes
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WIRE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

CBR6-L100 数据手册

  
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA  
Tel: (631) 435-1110 • Fax: (631) 435-1824  

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