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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | R-PSFM-W4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 最小击穿电压： | 800 V |
| 配置： | BRIDGE, 4 ELEMENTS | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | BRIDGE RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码： | R-PSFM-W4 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 200 A | 元件数量： | 4 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 最大输出电流： | 6 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 最大重复峰值反向电压： | 800 V |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CBR6M-L080TIN/LEAD | CENTRAL |
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Bridge Rectifier Diode, |
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| CBR6M-L100 | CENTRAL |
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Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 6A, 1000V V(RRM), Silicon, CASE DM, 4 PIN |
|
| CBR6M-L100M | CENTRAL |
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GLASS PASSIVE JUNCTION SILICON BRIDGE RECTIFIER 6.0 AMP, 100 THRU VOLTS |
|
| CBR6M-L100MTIN/LEAD | CENTRAL |
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Bridge Rectifier Diode, |
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| CBR722 | ETC |
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BNC RIGHT ANGLE PLUG FOR ECS CABLE 3C142B, 311901, AND 3C058A |
|
| CBR745DT | CDIL |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 7.5A, 45V V(RRM), Silicon, TO-220, |
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| CBR8-010 | CENTRAL |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 8A, 100V V(RRM), Silicon, |
|
| CBR8-010LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 8A, 100V V(RRM), Silicon, |
|
| CBR8-020 | CENTRAL |
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Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 8A, 200V V(RRM), Silicon, |
|
| CBR8-020LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 8A, 200V V(RRM), Silicon, |
|
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