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C20T03QLH-11A

更新时间: 2024-02-26 23:53:39
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NIEC 整流二极管肖特基二极管
页数 文件大小 规格书
6页 56K
描述
Schottky Barrier Diode

C20T03QLH-11A 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SFM
包装说明:R-PSIP-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.76
Is Samacsys:N应用:GENERAL PURPOSE
外壳连接:CATHODE配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.54 VJESD-30 代码:R-PSIP-T3
最大非重复峰值正向电流:180 A元件数量:2
相数:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-40 °C
最大输出电流:20 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:30 V
最大反向电流:1000 µA子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO技术:SCHOTTKY
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
Base Number Matches:1

C20T03QLH-11A 数据手册

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PEAK REVERSE CURRENT VS. PEAK REVERSE VOLTAGE  
Tj= 150 °C  
C20T03QLH/C20T03QLH-11A (per Arm)  
100  
50  
20  
10  
0
5
10  
15  
20  
25  
30  
35  
PEAK REVERSE VOLTAGE (V)  
AVERAGE REVERSE POWER DISSIPATION  
C20T03QLH/C20T03QLH-11A (Total)  
RECT 180°  
2.4  
2.0  
1.6  
1.2  
0.8  
0.4  
0
SINE WAVE  
0
5
10  
15  
20  
25  
30  
35  
REVERSE VOLTAGE (V)  

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