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C20T03QL-11A

更新时间： 2024-02-23 23:27:22

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NIEC		肖特基二极管
页数	文件大小	规格书
6页	66K
描述
Schottky Barrier Diode

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C20T03QL-11A 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SFM
包装说明：	R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.82
应用：	GENERAL PURPOSE	外壳连接：	CATHODE
配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.49 V
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	最大非重复峰值正向电流：	180 A
元件数量：	2	相数：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-40 °C	最大输出电流：	20 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	30 V	最大反向电流：	1000 µA
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE

C20T03QL-11A 数据手册

SBD T y p e : C20T03QL-11A

OUTLINE DRAWING

FEATURES

*Tabless TO-220

*Dual Diodes – Cathode Common

*Low Forward Voltage Drop

*High Surge Capability

*Tj=150 °C operation

Maximum Ratings

Approx Net Weight: 1.45g

Rating

Symbol

V_RRM

C20T03QL-11A

Unit

Repetitive Peak Reverse Voltage

Repetitive Peak Surge Reverse Voltage

V_RRSM

35(pulse width ≤ 1µs duty ≤ 1/50)

50 Hz Full Sine Wave

Resistive Load

Average Rectified Output Current

RMS Forward Current

I_O

Tc=119°C

I_F(RMS)

I_FSM

22.2

50Hz Full Sine Wave ,1cycle

Non-repetitive

Surge Forward Current

180

Operating JunctionTemperature Range

Storage Temperature Range

T_jw

T_stg

-40 to +150

°C

Electrical • Thermal Characteristics

Characteristics

Peak Reverse Current

Symbol

Conditions

Min. Typ. Max. Unit

Tj= 25°C, V_RM= V_RRM

per arm

Tj= 25°C, I_FM= 10 A

per arm

I_RM

Peak Forward Voltage

Thermal Resistance

V_FM

0.49

Rth₍j-c) Junction to Case

1.5 °C /W

12 3 4 5 6

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
C20T03QL-11A_15	NI	SBD	获取价格
C20T03QL-11A_2015	NI	SBD	获取价格
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