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| 生命周期： | Active | 包装说明： | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| HTS代码： | 8541.30.00.80 | 风险等级： | 5.66 |
| 其他特性： | FAST | 标称电路换相断开时间： | 20 µs |
| 配置： | SINGLE | 关态电压最小值的临界上升速率： | 200 V/us |
| 最大直流栅极触发电流： | 150 mA | 最大直流栅极触发电压： | 3 V |
| 最大维持电流： | 500 mA | JESD-30 代码： | O-MUPM-H3 |
| 最大漏电流： | 20 mA | 通态非重复峰值电流： | 3500 A |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最大通态电流： | 340000 A | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -25 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大均方根通态电流： | 274.75 A |
| 断态重复峰值电压： | 600 V | 重复峰值反向电压： | 600 V |
| 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | HIGH CURRENT CABLE | 端子位置： | UPPER |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| C185N | POWEREX | Silicon Controlled Rectifier, 274.75A I(T)RMS, 340000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 |
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| C185P | POWEREX | Silicon Controlled Rectifier, 250000mA I(T), 1100V V(DRM) |
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| C185PD | POWEREX | Silicon Controlled Rectifier, 250000mA I(T), 1400V V(DRM) |
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| C185S | POWEREX | Silicon Controlled Rectifier, 274.75A I(T)RMS, 300000mA I(T), 700V V(DRM), 700V V(RRM), 1 |
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| C186EA20 | INTEL | 16-BIT HIGH-INTEGRATION EMBEDDED PROCESSORS |
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| C1874 | MICRO-ELECTRONICS | NPN SILICON TRANSISTOR |
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