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C10T60F-11A

更新时间: 2024-01-26 21:08:01
品牌 Logo 应用领域
NIEC 整流二极管快速恢复二极管
页数 文件大小 规格书
4页 53K
描述
Low Forward Voltage Drop Diode

C10T60F-11A 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SFM
包装说明:R-PSIP-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.51
Is Samacsys:N应用:FAST RECOVERY
外壳连接:CATHODE配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.7 VJEDEC-95代码:TO-220
JESD-30 代码:R-PSIP-T3最大非重复峰值正向电流:80 A
元件数量:2相数:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-40 °C最大输出电流:10 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:600 V最大反向电流:30 µA
最大反向恢复时间:0.04 µs子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLEBase Number Matches:1

C10T60F-11A 数据手册

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0°  
180°  
q
AVERAGE FORWARD CURRENT VS. CASE TEMPERATURE  
CONDUCTION ANGLE  
C10T60F/C10T60F-11A (Total)  
12  
10  
8
RECT 180°  
SINE WAVE  
6
4
2
0
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
CASE TEMPERATURE (°C)  
SURGE CURRENT RATINGS  
f=50Hz,Sine Wave,Non-Repetitive,No Load  
C10T60F/C10T60F-11A  
80  
60  
40  
20  
0
I
FSM  
0.02s  
0.02  
0.05  
0.1  
0.2  
0.5  
1
2
TIME (s)  

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