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BZX85C6V8

更新时间: 2024-01-18 22:23:28
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NJSEMI 局域网高压测试二极管
页数 文件大小 规格书
2页 99K
描述
SILICON PLANAR ZENER DIODES

BZX85C6V8 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DO-41
包装说明:O-XALF-W2针数:2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.12
其他特性:LOW NOISE外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJEDEC-95代码:DO-41
JESD-30 代码:O-XALF-W2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:1.3 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:6.8 V表面贴装:NO
技术:ZENER端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED最大电压容差:5.88%
工作测试电流:35 mABase Number Matches:1

BZX85C6V8 数据手册

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