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BZX85C3V6

更新时间: 2024-02-25 18:51:13
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NJSEMI 局域网高压测试二极管
页数 文件大小 规格书
2页 99K
描述
SILICON PLANAR ZENER DIODES

BZX85C3V6 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DO-41
包装说明:O-XALF-W2针数:2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.21
Is Samacsys:N其他特性:LOW NOISE
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JEDEC-95代码:DO-41JESD-30 代码:O-XALF-W2
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:1.3 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:3.6 V
表面贴装:NO技术:ZENER
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
最大电压容差:5.56%工作测试电流:60 mA
Base Number Matches:1

BZX85C3V6 数据手册

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