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BZX84-B12

更新时间: 2024-01-23 16:54:01
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 稳压二极管齐纳二极管测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
13页 70K
描述
Voltage regulator diodes

BZX84-B12 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:R-PDSO-G3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.56Is Samacsys:N
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJEDEC-95代码:TO-236AB
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.25 W参考标准:AEC-Q101; IEC-60134
标称参考电压:12 V表面贴装:YES
技术:ZENER端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30最大电压容差:2%
工作测试电流:5 mABase Number Matches:1

BZX84-B12 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
BZX84 series  
Voltage regulator diodes  
Product specification  
2003 Apr 10  
Supersedes data of 1999 May 18  

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