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BZX55C18

更新时间: 2024-01-27 03:04:58
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辰达行 - MDD 二极管齐纳二极管测试脉冲
页数 文件大小 规格书
3页 84K
描述
ZENER DIODES Zener Voltage: 2.4- 1 8 0V Peak Pulse Power: 500mW Low regulation factor

BZX55C18 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
包装说明:O-LALF-W2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.22Is Samacsys:N
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JEDEC-95代码:DO-204AHJESD-30 代码:O-LALF-W2
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:200 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.5 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:18 V最大反向电流:0.1 µA
表面贴装:NO技术:ZENER
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
工作测试电流:5 mABase Number Matches:1

BZX55C18 数据手册

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RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES BZX55-SERIES  
Breakdown characteris tics  
5
10  
15  
20  
25  
30  
mA  
50  
40  
30  
20  
10  
0
V
Test Current  
Iz=5mA  
Vz,ZENER VOLTAGE,volts  
Admis s ible power dis s ipation vers us ambient temperature  
Valid provided that leads are kept at ambient temperature at a distance of 10mm from case  
500  
400  
300  
200  
100  
0
0
50  
100  
150  
200  
250  
AMBIENT TEMPERATURE, C  
MDD ELECTRONIC  

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