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BZW04-376/4H

更新时间： 2024-01-15 12:33:27
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
5页 70K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 376V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2 PIN

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BZW04-376/4H 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DO-41包装说明：O-PALF-W2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.79Is Samacsys：N
最大击穿电压：462 V最小击穿电压：418 V
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码：DO-204ALJESD-30 代码：O-PALF-W2
JESD-609代码：e0最大非重复峰值反向功率耗散：400 W
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性：UNIDIRECTIONAL最大功率耗散：1 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：376 V
表面贴装：NO技术：AVALANCHE
端子面层：TIN LEAD端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

BZW04-376/4H 数据手册

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BZW04P-5V8 thru BZW04-376  
Vishay Semiconductors  
formerly General Semiconductor  
Ratings and  
Characteristic Curves (TA = 25°C unless otherwise noted)  
Fig. 2 -- Pulse Derating Curve  
Fig. 1 – Peak Pulse Power Rating Curve  
100  
100  
Non-repetitive Pulse  
Waveform shown in Fig. 3  
TA = 25°C  
10  
1
75  
50  
0.1  
25  
0
0.1µs  
1.0µs  
10µs  
100µs  
1.0ms  
10ms  
td -- Pulse Width (sec.)  
Fig. 3 -- Pulse Waveform  
150  
25  
50  
75  
150  
175  
200  
0
100  
125  
TJ = 25°C  
Pulse Width (td) is defined  
tr = 10µsec.  
TA -- Ambient Temperature (°C)  
Peak Value  
IPPM  
as the point where the  
peak current decays to  
50% of IPPM  
100  
50  
Half Value – IPPM  
Fig. 4 -- Typical Junction Capacitance  
2
10,000  
1000  
100  
TJ = 25°C  
f = 1.0MHz  
Vsig = 50mVp-p  
10/1000µsec. Waveform  
as defined by R.E.A.  
Measured at  
Zero Bias  
td  
0
1.0  
3.0  
4.0  
0
2.0  
t -- Time (ms)  
Fig. 5 -- Steady State Power Derating Curve  
1.00  
0.75  
0.50  
Measured at  
Stand-Off  
Voltage, VWM  
L = 0.375" (9.5mm)  
Lead Lengths  
60 HZ Resistive or  
Inductive Load  
10  
1
10  
100  
1000  
1.6 x 1.6 x .040"  
(40 x 40 x 1mm)  
Copper Heat Sinks  
V(BR) -- Breakdown Voltage (V)  
0.25  
0
Fig. 6 -- Maximum Non-Repetitive Forward  
Surge Current Uni-Directional Only  
200  
25  
50  
75  
150  
175  
200  
0
100  
125  
TJ = TJ max.  
8.3ms Single Half Sine-Wave  
(JEDEC Method)  
TL -- Lead Temperature (°C)  
Fig. 7 --Typical Reverse Leakage Characteristics  
100  
50  
100  
Measured at Devices  
Stand-off Voltage, VWM  
10  
TA = 25°C  
1
0.1  
10  
0.01  
0
100  
200  
300  
400  
500  
1
5
10  
50  
100  
V(BR) -- Breakdown Voltage (V)  
Number of Cycles at 60 Hz  
www.vishay.com  
4
Document Number 88316  
08-Jul-03  
12345

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