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BZW04-213B

更新时间: 2024-02-29 21:21:45
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NJSEMI 局域网IOT二极管
页数 文件大小 规格书
2页 179K
描述
400 Watts Transient Voltage Suppressor Diodes

BZW04-213B 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:O-PALF-W2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.24Is Samacsys:N
最大击穿电压:263 V最小击穿电压:237 V
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码:DO-41JESD-30 代码:O-PALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散:400 W元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:BIDIRECTIONAL
最大功率耗散:1 W最大重复峰值反向电压:213 V
表面贴装:NO技术:AVALANCHE
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

BZW04-213B 数据手册

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