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BZV55B47

更新时间： 2024-01-16 22:31:52

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平盛电子 - PFS		二极管齐纳二极管测试局域网
页数	文件大小	规格书
3页	279K
描述
SILICON PLANAR ZENER DIODES

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BZV55B47 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	MELF
包装说明：	O-LELF-R2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.56
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	ZENER DIODE	JESD-30 代码：	O-LELF-R2
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	0.5 W	认证状态：	Not Qualified
标称参考电压：	47 V	表面贴装：	YES
技术：	ZENER	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	WRAP AROUND	端子位置：	END
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	最大电压容差：	2%
工作测试电流：	2.5 mA	Base Number Matches：	1

BZV55B47 数据手册

BZV55 Series

SILICON PLANAR ZENER DIODES

Applications

• Low voltage stabilizers or voltage references

LL-34

Features

• Total power dissipation: max. 500 mW

• Two tolerance series: ± 2% and approx. ± 5%

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 C)

Parameter

Symbol

Value

500 ¹⁾

Unit

Power Dissipation

P_tot

Junction and Storage Temperature Range

T_j,T_S

- 65 to + 200

¹⁾Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature.

Characteristics at T_a= 25 C

Parameter

Symbol

R_thA

Max.

0.3 ¹⁾

Unit

Thermal Resistance Junction to Ambient Air

K/mW

Forward Voltage

at I_F= 10 mA

V_F

0.9

¹⁾Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature.

Web Site:

WWW.PS-PFS.COM

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