BZV47C27

更新时间： 2024-02-20 09:39:25

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		二极管齐纳二极管测试
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4页	63K
描述
2W ZENER DIODES

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BZV47C27 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.82	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	ZENER DIODE	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	最低工作温度：	-65 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	2 W	认证状态：	Not Qualified
标称参考电压：	27 V	最大反向电流：	0.5 µA
表面贴装：	NO	技术：	ZENER
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
电压温度Coeff-Max：	22.95 mV/ °C	工作测试电流：	25 mA
Base Number Matches：	1

BZV47C27 数据手册

BZV47C5V1 200

2W ZENER DIODES

FEATURES

VOLTAGERANGE : 5.1 V to 200 V

HERMETICALLY SEALEDPLASTICCASE :

F126 PACKAGE

HIGH SURGE CAPABILITY: 55 W (10 ms) .

DESCRIPTION

F126

2 W silicon Zener diodes.

ABSOLUTE RATINGS (Tamb = 25°C)

Symbol

Parameter

Value

Unit

Power dissipationon infinite heatsink

amb

= 55°C

- 65 to + 175

175

°C

Storage temperaturerange

Maximum junction temperature

stg

230

°C

Maximum lead temperaturefor soldering during 10s at 5mm

from case

THERMAL RESISTANCES

Symbol

Parameter

Value

Unit

(j-l)

°C/W

Junction to lead

(j-a)

100

°C/W

Junction to ambient on printed circuit on recommended pad

layout

January 1998 Ed : 2

1/4

12 3 4

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