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BZV47C68

更新时间： 2024-01-28 19:26:05

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		二极管齐纳二极管
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4页	63K
描述
2W ZENER DIODES

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BZV47C68 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	O-PALF-W2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.92
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
最大动态阻抗：	80 Ω	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	最低工作温度：	-65 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	2 W	认证状态：	Not Qualified
标称参考电压：	68 V	最大反向电流：	0.5 µA
子类别：	Voltage Reference Diodes	表面贴装：	NO
技术：	ZENER	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	电压温度Coeff-Max：	61.2 mV/ °C
最大电压容差：	5%	工作测试电流：	10 mA
Base Number Matches：	1

BZV47C68 数据手册

BZV47C5V1 200

2W ZENER DIODES

FEATURES

VOLTAGERANGE : 5.1 V to 200 V

HERMETICALLY SEALEDPLASTICCASE :

F126 PACKAGE

HIGH SURGE CAPABILITY: 55 W (10 ms) .

DESCRIPTION

F126

2 W silicon Zener diodes.

ABSOLUTE RATINGS (Tamb = 25°C)

Symbol

Parameter

Value

Unit

Power dissipationon infinite heatsink

amb

= 55°C

- 65 to + 175

175

°C

Storage temperaturerange

Maximum junction temperature

stg

230

°C

Maximum lead temperaturefor soldering during 10s at 5mm

from case

THERMAL RESISTANCES

Symbol

Parameter

Value

Unit

(j-l)

°C/W

Junction to lead

(j-a)

100

°C/W

Junction to ambient on printed circuit on recommended pad

layout

January 1998 Ed : 2

1/4

12 3 4

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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