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BZT52C8V2

更新时间： 2024-02-19 02:13:14

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TYSEMI		PC
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2页	103K
描述
Planar Die Construction 500mW Power Dissipation on Ceramic PCB General Purpose, Medium Current

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BZT52C8V2 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PDSO-G2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.09	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	ZENER DIODE	最大动态阻抗：	7 Ω
JESD-30 代码：	R-PDSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	0.41 W
认证状态：	Not Qualified	标称参考电压：	8.2 V
子类别：	Voltage Reference Diodes	表面贴装：	YES
技术：	ZENER	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	最大电压容差：	6.1%
工作测试电流：	5 mA	Base Number Matches：	1

BZT52C8V2 数据手册

Product specification

BZT52C2V0 - BZT52C39

Features

Planar Die Construction

500mW Power Dissipation on Ceramic PCB

General Purpose, Medium Current

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25

)

Parameter

Power dissipation

Symbol

Rating

500

Unit

Thermal Resistance, Junction to Ambient Air

250

Forward Voltage

@ I^F= 10mA

V^F

0.9

Jumction temperature

Storage temperature

T^j

150

T^stg

-65 to +150

Electrical Characteristics (Ta = 25

)

Typical

Temperature

Coefficient

@ I^ZTC

Maximum

Reverse

Current

Test

Current

I^ZTC

Zener voltage

Maximum Zener Impedance

V^Z(V)

Type

Marking

mV/

Z^ZT@ I^ZTZ^ZK@ I^ZK

I^R

I^ZK

@ V^R

(V)

Nom. Min. Max.

Min. Max.

(mA)

(

)

(

)

(

BZT52C2V0

BZT52C2V4

BZT52C2V7

BZT52C3V0

BZT52C3V3

BZT52C3V6

BZT52C3V9

BZT52C4V3

BZT52C4V7

BZT52C5V1

2.0

2.4

2.7

3.0

3.3

3.6

3.9

4.3

4.7

5.1

1.91

2.2

2.5

2.8

3.1

3.4

3.7

4.0

4.4

4.8

2.09

2.6

2.9

3.2

3.5

3.8

4.1

4.6

5.0

5.4

100

600

500

480

1.0

150

1.0

2.0

-3.5

-2.7

5.0

3.0

2.0

0.2

1.2

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

4008-318-123

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