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BZT52C30-HE3-08

更新时间: 2024-02-03 10:29:17
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 133K
描述
Zener Diode, 30V V(Z), 6.67%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2

BZT52C30-HE3-08 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Active包装说明:R-PDSO-G2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
Factory Lead Time:10 weeks风险等级:5.09
Is Samacsys:N配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:80 ΩJESD-30 代码:R-PDSO-G2
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.5 W
参考标准:AEC-Q101标称参考电压:30 V
子类别:Voltage Reference Diodes表面贴装:YES
技术:ZENER端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:10最大电压容差:6.67%
工作测试电流:5 mABase Number Matches:1

BZT52C30-HE3-08 数据手册

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BZT52-Series  
Vishay Semiconductors  
www.vishay.com  
PACKAGE DIMENSIONS in millimeters (inches): SOD-123  
0.45 (0.018)  
0.25 (0.010)  
0.5 (0.020) ref.  
Cathode bar  
Mounting Pad Layout  
2.85 (0.112)  
2.55 (0.100)  
0.85 (0.033)  
0.85 (0.033)  
3.85 (0.152)  
3.55 (0.140)  
2.5 (0.098)  
Rev. 4 - Date: 24. Sep. 2009  
Document no.: S8-V-3910.01-001 (4)  
17432  
Rev. 1.9, 08-Nov-16  
Document Number: 85760  
7
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  

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