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BZT52C30-GS08

更新时间: 2024-02-21 09:09:37
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威世 - VISHAY 测试二极管
页数 文件大小 规格书
9页 232K
描述
Zener Diode, 30V V(Z), 6.67%, 0.41W, Silicon, Unidirectional, PLASTIC PACKAGE-2

BZT52C30-GS08 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.82
配置:SINGLE二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:80 ΩJESD-609代码:e3
元件数量:1最高工作温度:150 °C
最大功率耗散:0.5 W标称参考电压:30 V
子类别:Voltage Reference Diodes表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)最大电压容差:6.6%
工作测试电流:5 mABase Number Matches:1

BZT52C30-GS08 数据手册

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BZT52-Series  
Vishay Semiconductors  
Typical Characteristics (Tamb = 25 °C unless otherwise specified)  
18117  
18114  
Figure 1. Forward characteristics  
Figure 4. Dynamic Resistance vs. Zener Current  
18888  
18118  
Figure 2. Admissible Power Dissipation vs. Ambient Temperature  
Figure 5. Capacitance vs. Zener Voltage  
°C  
18119  
18116  
Figure 3. Pulse Thermal Resistance vs. Pulse Duration  
Figure 6. Dynamic Resistance vs. Zener Current  
www.vishay.com  
4
Document Number 85760  
Rev. 1.5, 13-Sep-04  

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