BZT52C3

更新时间： 2024-02-10 17:13:43

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美微科 - MCC		稳压二极管齐纳二极管测试光电二极管
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描述
410 mW Zener Diodes 2.4 to 39 Volts

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BZT52C3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PDSO-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.83	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-F2	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	0.2 W
认证状态：	Not Qualified	标称参考电压：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	ZENER
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
最大电压容差：	5%	工作测试电流：	5 mA

BZT52C3 数据手册

BZT52C2V4

THRU

BZT52C39

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

21201 Itasca Street Chatsworth

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Features

410 mW

Planar Die construction

410mW Power Dissipation

Zener Voltages from 2.4V - 39V

Zener Diodes

2.4 to 39 Volts

Ideally Suited for Automated Assembly Processes

Mechanical Data

Case: SOD-123 Molded Plastic

SOD123

Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208

Approx. Weight: 0.008 gram

Mounting Position: Any

Storage & Operating Junction Temperature: -55^oC to +150^oC

Maximum Ratings @ 25^oC Unless Otherwise Specified

Zener Current

Maximum Forward

Voltage

I_F

V_F

100

1.2

Power Dissipation

(Notes A)

Peak Forward Surge

Current (Notes B)

P_(AV)

410

2.0

mWatt

Amps

DIMENSIONS

IFSM

DIM

INCHES

MIN

NOTE

MAX

.152

.112

.071

.053

.031

-----

.01

MIN

3.55

2.55

1.40

-----

0.30

0.15

-----

MAX

3.85

2.85

1.80

1.35

.78

-----

.25

.15

NOTES:

.140

.100

.055

-----

.012

.006

-----

A. Mountedon5.0mm2(.013mmthick)landareas.

B. Measured on 8.3ms, single half sine-wave or equivalent

squarewave, dutycycle=4pulsesperminutemaximum.

.006

SUGGESTED SOLDER

PAD LAYOUT

0.093"

0.048”

0.036”

www.mccsemi.com

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