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BZT52-C3

更新时间： 2024-02-04 16:30:07

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强茂 - PANJIT		稳压二极管
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5页	84K
描述
SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES

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BZT52-C3 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PDSO-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.63	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	ZENER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-F2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	0.2 W	认证状态：	Not Qualified
标称参考电压：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	ZENER	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	最大电压容差：	5%
工作测试电流：	5 mA	Base Number Matches：	1

BZT52-C3 数据手册

BZT52-C2V4 thru BZT52-C39

SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES

POWER

410 mWatts

VOLTAGE

2.4 to 39 Volts

FEATURES

• Planar Die construction

• 410mW Power Dissipation

• Zener Voltages from 2.4V - 39V

• Ideally Suited for Automated Assembly Processes

MECHANICAL DATA

• Case: SOD-123, Molded Plastic

• Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208

• Polarity: See Diagram Below

SOD-123

• Approx. Weight: 0.008 grams

• Mounting Position: Any

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Parameter

Power Dissipation (Notes A) at 25^OC

Symbol

Value

410

Units

Amps

^OC

Peak Forward Surge Current, 8.3ms single half

sine-wave superimposed on rated load (JEDEC method) (Notes B)

2.0

IFSM

Operating Junction and StorageTemperature Range

-55 to +150

NOTES:

A. Mounted on 5.0mm²(.013mm thick) land areas.

B. Measured on 8.3ms, single half sine-wave or equivalent square wave, duty cycle = 4 pulses per minute maximum.

Part Number: BZT52-C2V4 - BZT52-C39

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