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BZT52B22-HE3-08

更新时间: 2024-02-23 05:25:33
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 116K
描述
Zener Diode, 22V V(Z), 1.82%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2

BZT52B22-HE3-08 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Active包装说明:R-PDSO-G2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
Factory Lead Time:10 weeks风险等级:5.12
Is Samacsys:N配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:55 ΩJESD-30 代码:R-PDSO-G2
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.5 W
参考标准:AEC-Q101标称参考电压:22 V
子类别:Voltage Reference Diodes表面贴装:YES
技术:ZENER端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:10最大电压容差:1.82%
工作测试电流:5 mABase Number Matches:1

BZT52B22-HE3-08 数据手册

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BZT52-Series  
Vishay Semiconductors  
www.vishay.com  
TYPICAL CHARACTERISTICS (Tamb = 25 °C, unless otherwise specified)  
mA  
103  
Ω
100  
TJ = 25 °C  
102  
10  
5
4
IF  
3
2
33  
rzj  
TJ = 100 °C  
27  
22  
1
10-1  
10-2  
10  
18  
15  
TJ = 25 °C  
5
4
12  
10-3  
10-4  
10-5  
3
10  
2
6.8/8.2  
6.2  
1
0
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1V  
0.1  
18119  
2
5
1
2
5
10  
IZ  
2
5 100 mA  
VF  
18114  
Fig. 1 - Forward characteristics  
Fig. 4 - Dynamic Resistance vs. Zener Current  
mW  
500  
Ω
103  
Tj = 25 °C  
7
5
4
400  
300  
200  
100  
0
Rzj  
3
2
47 + 51  
43  
Ptot  
39  
36  
102  
7
5
4
3
2
10  
0.1  
2
3
4
5
1
2
3
4
5
10  
mA  
0
100  
Tamb  
200 °C  
18120  
IZ  
18888  
Fig. 2 - Admissible Power Dissipation vs. Ambient Temperature  
Fig. 5 - Dynamic Resistance vs. Zener Current  
Ω
Ω
1000  
103  
ΔVZ  
TJ = 25 °C  
5
Rzth = RthA x VZ  
x
5
4
3
4
3
2
Δ
Tj  
2
Rzth  
rzj  
102  
100  
5
4
3
5
4
3
2
2
10  
5
4
3
10  
5
4
3
2.7  
3.6  
4.7  
5.1  
negative  
positive  
2
2
5.6  
1
1
0.1  
18117  
2
5
1
2
5
10  
2
5 100 mA  
1
2
3
4
5
10  
2
3
4
5
100 V  
IZ  
18121  
VZ at IZ = 5 mA  
Fig. 3 - Dynamic Resistance vs. Zener Current  
Fig. 6 - Thermal Differential Resistance vs. Zener Voltage  
Rev. 1.8, 26-Feb-13  
Document Number: 85760  
4
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