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BZT52-C68

更新时间： 2024-01-27 08:06:25
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安世 - NEXPERIA 光电二极管
页数 文件大小 规格书
13页 193K
描述
Single Zener diodes in a SOD123 packageProduction

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BZT52-C68 技术参数

生命周期：Contact ManufacturerReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.79Base Number Matches：1

BZT52-C68 数据手册

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Nexperia  
BZT52 series  
Single Zener diodes in a SOD123 package  
Table 9. Characteristics per type; BZT52-C27 to BZT52-C51  
Tj = 25 °C unless otherwise specified.  
BZT52 Sel Working  
Maximum  
differential  
resistance  
Reverse  
current  
Temperature Diode  
Non-  
capacitance repetitive  
Cd (pF)[1]  
peak reverse  
-xxx  
voltage  
coefficient  
SZ (mV/K);  
IZ = 5 mA  
VZ (V);  
IR (μA)  
current  
IZSM (A)[2]  
rdif (Ω)  
IZ = 2 mA  
Min Max IZ = 1 mA IZ = 5 mA Max  
VR (V) Min  
Max Max  
25.3 50  
Max  
1.0  
1.0  
0.9  
0.8  
0.7  
0.6  
0.5  
0.4  
27  
30  
33  
36  
39  
43  
47  
51  
C
C
C
C
C
C
C
C
25.1 28.9 250  
28.0 32.0 250  
31.0 35.0 250  
34.0 38.0 250  
37.0 41.0 300  
40.0 46.0 325  
44.0 50.0 325  
48.0 54.0 350  
40  
40  
40  
60  
75  
80  
90  
100  
0.05  
0.05  
0.05  
0.05  
0.05  
0.05  
0.05  
0.05  
18.9  
21  
21.4  
24.4  
27.4  
30.4  
33.4  
37.6  
42.0  
46.6  
29.4 50  
33.4 45  
37.4 45  
41.2 45  
46.6 40  
51.8 40  
57.2 40  
23.1  
25.2  
27.3  
30.1  
32.9  
35.7  
[1] f = 1 MHz; VR = 0 V.  
[2] tp = 100 μs; Tamb = 25 °C.  
Table 10. Characteristics per type; BZT52-C56 to BZT52-C75  
Tj = 25 °C unless otherwise specified.  
BZT52 Sel Working  
Maximum  
differential  
resistance  
Reverse  
current  
Temperature Diode  
Non-  
-xxx  
voltage  
coefficient  
SZ (mV/K);  
IZ = 5 mA  
capacitance repetitive  
Cd (pF)[1]  
peak reverse  
current  
IZSM (A)[2]  
VZ (V);  
IR (μA)  
rdif (Ω)  
IZ = 2 mA  
Min Max IZ = 0.5  
mA  
IZ = 2 mA Max  
VR (V) Min  
Max Max  
Max  
56  
62  
68  
75  
C
C
C
C
52.0 60.0 375  
58.0 66.0 400  
64.0 72.0 400  
70.0 79.0 400  
120  
140  
160  
175  
0.05  
0.05  
0.05  
0.05  
39.2  
43.4  
47.6  
52.5  
52.2  
58.8  
65.6  
73.4  
63.8 40  
0.3  
71.6 35  
79.8 35  
88.6 35  
0.3  
0.25  
0.20  
[1] f = 1 MHz; VR = 0 V.  
[2] tp = 100 μs; Tamb = 25 °C.  
BZT52_SER  
All information provided in this document is subject to legal disclaimers.  
© Nexperia B.V. 2017. All rights reserved.  
Product data sheet  
Rev. 1 — 16 March 2017  
5 / 13  
 
 
 
 
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