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BZT03C6V2

更新时间： 2024-04-09 18:57:03

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BZT03C6V2 数据手册

RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES

BZT03---SERIES

FIG.1 -- BREAKDOWN CHARACTERISTICS

100

I_F

T^J=25

Pulse Width=300us

1.0

0.4

0.2

0.1

0.06

0.04

0.02

0.01

0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6

FIG.2 -- ADMISSIBLE POWER DISSIPATION VERSUS AMBIENT TEMPERATURE

3.5

Ttp=25℃

3.25

2.8

P^tot

2.0

TA=45℃

1.5

1.4

0.7

℃

100

200

T^amb,Ttp

www.galaxycn.com

BLGALAXY ELECTRICAL

Document Number 0284029

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BZT03C6V2-TAP	VISHAY	Zener Diode, 6.2V V(Z), 6.5%, 1.3W,	获取价格
BZT03C6V2-TR	VISHAY	TVS DIODE 5.1V 9.3V SOD57	获取价格
BZT03C6V8	VISHAY	Silicon Z-Diodes and Transient Voltage Suppressors	获取价格
BZT03C6V8	FRONTIER	SILICON Z-DIODES AND TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS	获取价格
BZT03C6V8	LGE	POWER DISSIPATION: 3.25 W	获取价格
BZT03C6V8	Galaxy Microelectronics	6.8V,1300mW,Zener Diodes	获取价格