BZT03C270-TAP

更新时间： 2024-02-04 23:10:26

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		二极管齐纳二极管测试
页数	文件大小	规格书
5页	263K
描述
Zener Diode, 270V V(Z), 7%, 1.3W,

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BZT03C270-TAP 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.89
配置：	SINGLE	二极管类型：	ZENER DIODE
最大动态阻抗：	1000 Ω	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	最高工作温度：	175 °C
最大功率耗散：	1.3 W	标称参考电压：	270 V
子类别：	Voltage Reference Diodes	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	最大电压容差：	7%

BZT03C270-TAP 数据手册

BZT03..Series

Vishay Semiconductors

VISHAY

Silicon Zener-Diodes with Surge Current Specification

Features

• Glass passivated junction

• Hermetically sealed package

• Clamping time in picoseconds

Applications

Medium power voltage regulators and medium power

transient suppression circuits

Mechanical Data

Case:SOD57

949539

Weight: 370 mg (max.500 mg)

Packaging Codes/Options:

TAP / 5 K Ammopack (52 mm tape) / 25 K/box

TR / 5 K 10" reel

Absolute Maximum Ratings

= 25 °C, unless otherwise specified

Parameter

amb

Test condition

Symbol

Value

3.25

Unit

Power dissipation

l = 10 mm, T = 25 °C

= 25 °C

1.3

amb

Repetitive peak reverse power

dissipation

ZRM

Non repetitive peak surge power t = 100 s, T = 25 °C

600

ZSM

dissipation

Junction temperature

175

°C

Storage temperature range

- 65 to + 175

stg

Thermal Characteristics

= 25 °C, unless otherwise specified

amb

Parameter

Junction ambient

Test condition

Symbol

Value

Unit

l = 10 mm, T = constant

K/W

thJA

on PC board with spacing 25 mm

100

Electrical Characteristics

= 25 °C, unless otherwise specified

amb

Parameter

Test condition

Symbol

Min

Typ.

Max

1.2

Unit

Forward voltage

I = 0.5 A

Document Number 85599

Rev. 4, 10-Sep-03

www.vishay.com

12 3 4 5

下载PDF

与BZT03C270-TAP相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BZT03C270-TR	VISHAY	TVS DIODE 220V 380V SOD57	获取价格
BZT03C27AMO	PHILIPS	Zener Diode, 27V V(Z), 5%, 3.25W,	获取价格
BZT03-C27AMO	NXP	DIODE 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Transie	获取价格
BZT03C27T/R	PHILIPS	Zener Diode, 27V V(Z), 5%, 3.25W,	获取价格
BZT03-C27T/R	NXP	DIODE 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Transie	获取价格
BZT03C27-TAP	VISHAY	Zener Diode, 27V V(Z), 7%, 1.3W,	获取价格