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BZG05C33

更新时间： 2024-02-28 08:18:58

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5页	47K
描述
Zener Diode, 33V V(Z), 6.1%, 1.25W, Silicon, Unidirectional, DO-214AC,

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BZG05C33 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.65
配置：	SINGLE	二极管类型：	ZENER DIODE
最大动态阻抗：	35 Ω	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	最高工作温度：	150 °C
最大功率耗散：	1.25 W	标称参考电压：	33 V
子类别：	Voltage Reference Diodes	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	最大电压容差：	9%
工作测试电流：	8 mA	Base Number Matches：	1

BZG05C33 数据手册

BZG05C...

Silicon Z–Diodes

Features

Glass passivated junction

High reliability

Voltage range 3.3V to 15V

Fits onto 5 mm SMD footpads

Wave and reflow solderable

Applications

94 9535

Voltage stabilization

Absolute Maximum Ratings

T = 25 C

Parameter

Test Conditions

Type

Symbol

Value

Unit

<30K/W, T =60 C

Power dissipation

thJA

amb

<100K/W, T =25 C

1.25

thJA

amb

Non repetitive peak surge

power dissipation

t =100 s sq.pulse, T =25 C

ZSM

prior to surge

Junction temperature

150

Storage temperature range

stg

–65...+150

Maximum Thermal Resistance

T = 25 C

Parameter

Test Conditions

Symbol

Value

Unit

K/W

Junction lead

thJL

mounted on epoxy–glass hard tissue, Fig. 1a

mounted on epoxy–glass hard tissue, Fig. 1b

150

125

100

Junction ambient

thJA

mounted on Al–oxid–ceramic (Al O ), Fig. 1b

Characteristics

T = 25 C

Parameter

Forward voltage

Test Conditions

I =0.2A

Type

Symbol

Min

Typ

Max

1.2

Unit

TELEFUNKEN Semiconductors

1 (5)

Rev. A2, 24-Jun-96

12 3 4 5

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