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BZD27-C68

更新时间： 2024-01-03 00:14:16

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恩智浦 - NXP		稳压二极管
页数	文件大小	规格书
9页	42K
描述
Voltage regulator diodes

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BZD27-C68 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.78
最小击穿电压：	64 V	外壳连接：	ISOLATED
最大钳位电压：	94.4 V	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码：	O-LELF-R2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值反向功率耗散：	300 W
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	0.8 W	认证状态：	Not Qualified
最大反向电流：	5 µA	表面贴装：	YES
技术：	AVALANCHE	端子面层：	TIN
端子形式：	WRAP AROUND	端子位置：	END
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

BZD27-C68 数据手册

Philips Semiconductors

Product speciﬁcation

Voltage regulator diodes

BZD27 series

hermetically sealed and fatigue free

as coefficients of expansion of all

used parts are matched.

FEATURES

DESCRIPTION

• Glass passivated

Cavity free cylindrical glass SOD87

package through Implotec

technology. This package is

(1)

• High maximum operating

temperature

(1) Implotec is a trademark of Philips.

• Low leakage current

• Excellent stability

handbook, 4 columns

• Zener working voltage range:

3.6 to 270 V for 46 types

MAM249

• Transient suppressor stand-off

voltage range: 6.2 to 430 V

for 45 types

Fig.1 Simplified outline (SOD87) and symbol.

• Supplied in 8 mm embossed tape.

LIMITING VALUES

In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

MIN.

MAX.

UNIT

P_tot

total power dissipation

BZD27-C3V6 to -C6V8

BZD27-C7V5 to -C510

total power dissipation

BZD27-C3V6 to -C6V8

BZD27-C7V5 to -C510

T_tp= 105 °C; see Figs 2 and 3

−

1.7

2.3

P_tot

PCB mounted (see Fig.7)

_amb= 60 °C; see Fig.2

_amb= 55 °C; see Fig.3

−

0.8

P_ZSM

non-repetitive peak reverse t_p= 100 µs; square pulse;

power dissipation

T_j= 25 °C prior to surge; see Figs.4 and 5

BZD27-C3V6 to -C6V8

−

300

BZD27-C7V5 to -C510

P_RSM

non-repetitive peak reverse 10/1000 µs exponential pulse (see Fig.8);

power dissipation

T_j= 25 °C prior to surge

BZD27-C7V5 to -C510

storage temperature

BZD27-C3V6 to -C6V8

BZD27-C7V5 to -C510

junction temperature

BZD27-C3V6 to -C6V8

BZD27-C7V5 to -C510

−

150

T_stg

−65

+200

+175

°C

T_j

−65

+200

+175

°C

1996 Jun 10

123 4 5 6 7...9

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与BZD27-C68相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BZD27-C68,115	NXP	DIODE 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor	获取价格
BZD27-C68,135	NXP	DIODE 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor	获取价格
BZD27-C68/T3	NXP	DIODE 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor	获取价格
BZD27-C68A	EIC	VOLTAGE REGULATOR DIODES	获取价格
BZD27C68P	PANJIT	VOLTAGE REGULATOR DIODES	获取价格
BZD27C68P	TSC	Voltage Regulator Diodes	获取价格