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BZD27-C68,115

更新时间: 2024-01-11 00:49:54
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 局域网二极管电视
页数 文件大小 规格书
14页 90K
描述
DIODE 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor

BZD27-C68,115 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-LELF-R2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.78
最小击穿电压:64 V外壳连接:ISOLATED
最大钳位电压:94.4 V配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:O-LELF-R2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1最大非重复峰值反向功率耗散:300 W
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.8 W
认证状态:Not Qualified最大反向电流:5 µA
表面贴装:YES技术:AVALANCHE
端子面层:TIN端子形式:WRAP AROUND
端子位置:END处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

BZD27-C68,115 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
k, halfpage  
BZD27 series  
Voltage regulator diodes  
1996 Jun 10  
Product specification  
Supersedes data of October 1991  

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