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BZB84-C30,235

更新时间： 2024-10-01 14:32:59

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恩智浦 - NXP		/
页数	文件大小	规格书
14页	83K
描述
30V, 0.3W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3

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BZB84-C30,235 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.8
Is Samacsys：	N	配置：	COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
JEDEC-95代码：	TO-236AB	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	2	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	0.3 W	参考标准：	AEC-Q101; IEC-60134
标称参考电压：	30 V	表面贴装：	YES
技术：	ZENER	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	最大电压容差：	5%
工作测试电流：	2 mA	Base Number Matches：	1

BZB84-C30,235 数据手册

BZB84 series

Dual Zener diodes

Rev. 03 — 9 June 2009

Product data sheet

1. Product proﬁle

1.1 General description

General-purpose Zener diodes in a SOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted

Device (SMD) plastic package.

1.2 Features

I Non-repetitive peak reverse power

I Small plastic package suitable for

surface-mounted design

dissipation: ≤ 40 W

I Total power dissipation: ≤ 300 mW

I Dual common anode conﬁguration

I AEC-Q101 qualiﬁed

I Two tolerance series:

B = ±2 % and C = ±5 %

I Wide working voltage range:

nominal 2.4 V to 75 V (E24 range)

1.3 Applications

I General regulation functions

1.4 Quick reference data

Table 1.

Quick reference data

Symbol Parameter

Per diode

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

[1]

[2]

V_F

forward voltage

I_F= 10 mA

0.9

P_ZSM

non-repetitive peak reverse

power dissipation

[1] Pulse test: t_p≤ 300 µs; δ ≤ 0.02.

[2] t_p= 100 µs; square wave; T_j= 25 °C prior to surge

12 3 4 5 6 7...14

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