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BYZ50A32

更新时间: 2024-01-29 22:51:26
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 82K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, Unidirectional, 1 Element, Silicon, METAL PACKAGE-1

BYZ50A32 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:O-MUPF-P1针数:1
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.84
最大击穿电压:36 V最小击穿电压:29 V
外壳连接:CATHODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:O-MUPF-P1JESD-609代码:e3/e4
元件数量:1端子数量:1
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:PRESS FIT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO技术:AVALANCHE
端子面层:TIN/SILVER端子形式:PIN/PEG
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

BYZ50A32 数据手册

 浏览型号BYZ50A32的Datasheet PDF文件第2页 
BYZ 50A22 ... BYZ50K39  
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Silicon Protectifiers with  
TVS characteristics  
High-temperature diodes  
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Dissipation: 10000 W  
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1
26-03-2004 SCT  
© by SEMIKRON  

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