BYW32TAP

更新时间： 2024-09-28 13:06:03

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威世 - VISHAY		整流二极管软恢复二极管快速软恢复二极管
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4页	50K
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 200V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, SOD-57, 2 PIN

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BYW32TAP 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOD
包装说明：	E-LALF-W2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.7
应用：	FAST SOFT RECOVERY	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	E-LALF-W2
最大非重复峰值正向电流：	50 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最大输出电流：	2 A	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ELLIPTICAL	封装形式：	LONG FORM
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	200 V
最大反向恢复时间：	0.2 µs	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
Base Number Matches：	1

BYW32TAP 数据手册

BYW32...BYW36

Vishay Telefunken

Fast Silicon Mesa Rectifiers

Features

Glass passivated junction

Hermetically sealed package

Low reverse current

Soft recovery characteristics

Applications

94 9539

Fast rectifier and switch for example for TV–line output

circuits and switch mode power supply

Absolute Maximum Ratings

T = 25 C

Parameter

Reverse voltage

=Repetitive peak reverse voltage

Test Conditions

Type

Symbol

Value

200

300

400

500

600

Unit

BYW32

BYW33

BYW34

BYW35

BYW36

V =V

RRM

V =V

Peak forward surge current

t =10ms,

FSM

half sinewave

Repetitive peak forward current

Average forward current

Junction and storage temperature range

FRM

ϕ=180

FAV

T =T

–55...+175

stg

Maximum Thermal Resistance

T = 25 C

Parameter

Junction ambient

Test Conditions

l=10mm, T =constant

on PC board with spacing 25mm

Symbol

Value

100

Unit

K/W

thJA

Electrical Characteristics

T = 25 C

Parameter

Forward voltage

Reverse current

Test Conditions

Type Symbol Min

Typ Max Unit

0.95 1.1

I =1A

V =V

RRM

V =V

, T =150 C

150

200

RRM

Reverse recovery time

I =0.5A, I =1A, i =0.25A

Document Number 86048

Rev. 2, 24-Jun-98

www.vishay.de • FaxBack +1-408-970-5600

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