BYV29XSERIES

更新时间： 2024-01-11 07:14:58

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恩智浦 - NXP		整流二极管
页数	文件大小	规格书
7页	55K
描述
Rectifier diodes ultrafast

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BYV29XSERIES 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.61
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最大输出电流：	9 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	500 V	最大反向恢复时间：	0.05 µs
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

BYV29XSERIES 数据手册

Philips Semiconductors

Product specification

Rectifier diodes

ultrafast

BYV29F, BYV29X series

BYV29

Ths(max) / C

a = 1.57

PF / W

Vo = 0.89V

Rs = 0.019 Ohms

1.9

2.2

106

117

128

2.8

time

100%

10%

139

150

rrm

IF(AV) / A

Fig.1. Definition of t_rr, Q_sand I_rrm

Fig.4. Maximum forward dissipation P_F= f(I_F(AV));

sinusoidal current waveform where a = form

factor = I_F(RMS)/ I_F(AV)

trr / ns

1000

100

IF=10 A

time

Tj = 25 C

Tj = 100C

100

time

dIF/dt (A/us)

Fig.2. Definition of V_fr

Fig.5. Maximum t_rrat T_j= 25˚C and 100˚C

Irrm / A

BYV29

Ths(max) / C

D = 1.0

PF / W

67.5

Vo = 0.8900 V

Rs = 0.0190 Ohms

IF=10A

0.5

0.2

IF=1A

0.1

122.5

150

t_p

D =

Tj = 25 C

Tj = 100C

0.01

100

IF(AV) / A

-dIF/dt (A/us)

Fig.3. Maximum forward dissipation P_F= f(I_F(AV));

Fig.6. Maximum I_rrmat T_j= 25˚C and 100˚C.

square wave where I_F(AV)=I_F(RMS)x √D.

February 1999

Rev 1.400

1 234 5 6 7

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