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BYV29B-300-HE3/81

更新时间： 2024-02-25 09:50:56

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		/
页数	文件大小	规格书
5页	132K
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DIODE 8 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3, Rectifier Diode

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BYV29B-300-HE3/81 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.74
Base Number Matches：	1

BYV29B-300-HE3/81 数据手册

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UG(F,B)8FT & UG(F,B)8GT, BYV29(F,B)-300 & BYV29(F,B)-400

Vishay General Semiconductor

RATINGS AND CHARACTERISTICS CURVES

(T = 25 °C unless otherwise noted)

1000

100

Resistive or Inductive Load

= 125 °C

= 100 °C

Tj = 25 °C

0.1

0.01

100

125

150

175

100

Case Temperature (°C)

Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)

Figure 1. Maximum Forward Current Derating Curve

Figure 4. Typical Reverse Leakage Charateristics

160

140

120

100

150

TC = 100 °C

8.3 ms Single Half Sine-Wave

trr

di/dt = 150 A/µs

125

100

di/dt = 50 A/µs

di/dt = 20 A/µs

di/dt = 100 A/µs

di/dt = 150 A/µs

125

100

di/dt = 20 A/µs

100

Number of Cycles at 60 Hz

Junction Temperature (°C)

Figure 2. Maximum Non-Repetitive Peak Forward Surge Current

Figure 5. Reverse Switching Characteristics Per Leg

100

Tj = 25 °C

f = 1.0 MHz

V^sig= 50 mVp-p

Tj = 125 °C

Tj = 100 °C

Tj = 25 °C

0.1

0.01

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

100

Instantaneous Forward Voltage (V)

Reverse Voltage (V)

Figure 3. Typical Instantaneous Forward Charateristics

Figure 6. Typical Junction Capacitance

Document Number 88557

27-Jun-06

www.vishay.com

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