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BYC20DX-600P

更新时间： 2024-01-30 10:40:32

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DIODE RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode

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BYC20DX-600P 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	R-PSFM-T2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.64	其他特性：	LOW LEAKAGE CURRENT
应用：	HYPER FAST RECOVERY POWER	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	2.9 V
JEDEC-95代码：	TO-220AC	JESD-30 代码：	R-PSFM-T2
最大非重复峰值正向电流：	275 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
参考标准：	IEC-60134	最大重复峰值反向电压：	600 V
最大反向电流：	10 µA	最大反向恢复时间：	0.02 µs
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

BYC20DX-600P 数据手册

NXP Semiconductors

BYC20DX-600P

Hyperfast power diode

9. Thermal characteristics

Table 6.

Symbol

Thermal characteristics

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

R_th(j-h)

thermal resistance

from junction to

heatsink

with heatsink compound; Fig. 4

K/W

R_th(j-a)

thermal resistance

from junction to

ambient

in free air

K/W

aaa-010048

th(j-h)

(K/W)

-1

-2

-3

-4

δ = 0.5

δ = 0.3

δ = 0.1

δ = 0.05

δ =

δ = 0.02

δ = 0.01

single pulse

-6

-5

-4

-3

-2

-1

(s)

Fig. 4. Transient thermal impedance from junction to heatsink as a function of pulse duration

10. Isolation characteristics

Table 7.

Symbol

Isolation characteristics

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

V_isol(RMS)

RMS isolation voltage 50 Hz ≤ f ≤ 60 Hz; RH ≤ 65 %; from all

pins to external heatsink; sinusoidal

2500

waveform; clean and dust free

C_isol

isolation capacitance

f = 1 MHz; from cathode to external

heatsink

11. Characteristics

Table 8.

Symbol

Characteristics

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Static characteristics

V_F

forward voltage

I_F= 20 A; T_j= 25 °C; Fig. 5

2.9

BYC20DX-600P

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Product data sheet

9 May 2014

4 / 9

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BYC20DX-600P,127	NXP	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 600V V(RRM), Silicon, TO-220AC	获取价格
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