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BY229F

更新时间： 2023-12-18 00:00:00
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 整流二极管
页数 文件大小 规格书
7页 59K
描述
Rectifier diodes fast, soft-recovery

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BY229F 技术参数

生命周期：ActiveReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.56应用：FAST RECOVERY POWER
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1相数：1
端子数量：3最大输出电流：8 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：800 V最大反向恢复时间：0.135 µs
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLEBase Number Matches：1

BY229F 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
Rectifier diodes  
fast, soft-recovery  
BY229F, BY229X series  
FEATURES  
SYMBOL  
QUICK REFERENCE DATA  
VR = 200 V/ 400 V/ 600 V/800 V  
IF(AV) = 8 A  
• Low forward volt drop  
• Fast switching  
• Soft recovery characteristic  
• High thermal cycling performance  
• Isolated mounting tab  
k
1
a
2
IFSM ≤ 60 A  
trr ≤ 135 ns  
GENERAL DESCRIPTION  
Glass-passivated double diffused rectifier diodes featuring low forward voltage drop, fast reverse recovery and soft  
recovery characteristic. The devices are intended for use in TV receivers, monitors and switched mode power supplies.  
The BY229F series is supplied in the conventional leaded SOD100 package.  
The BY229X series is supplied in the conventional leaded SOD113 package.  
PINNING  
SOD100  
SOD113  
PIN  
DESCRIPTION  
cathode  
anode  
isolated  
case  
case  
1
2
tab  
1
2
1
2
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
BY229F- / BY229X-  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
200 400 600 800  
200 400 600 800  
VRSM  
Peak non-repetitive reverse  
voltage  
-
V
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak repetitive reverse voltage  
Crest working reverse voltage  
Continuous reverse voltage  
Average forward current1  
-
-
-
200 400 600 800  
150 300 500 600  
150 300 500 600  
V
V
V
IF(AV)  
square wave; δ = 0.5;  
hs ≤ 83 ˚C  
sinusoidal; a = 1.57;  
hs ≤ 90 ˚C  
-
-
8
7
A
A
T
T
IF(RMS)  
IFRM  
RMS forward current  
Peak repetitive forward current t = 25 µs; δ = 0.5;  
-
-
11  
16  
A
A
T
hs ≤ 83 ˚C  
IFSM  
Peak non-repetitive forward  
current  
t = 10 ms  
-
-
60  
66  
A
A
t = 8.3 ms  
sinusoidal; Tj = 150 ˚C  
prior to surge; with  
reapplied VRWM(max)  
t = 10 ms  
I2t  
Tstg  
Tj  
I2t for fusing  
Storage temperature  
Operating junction temperature  
-
-40  
-
18  
150  
150  
A2s  
˚C  
˚C  
1. Neglecting switching and reverse current losses.  
September 1998  
1
Rev 1.200  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BY229F-200 NXP

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