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BY229F-800

更新时间： 2024-01-01 05:06:50
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 整流二极管局域网软恢复二极管快速软恢复二极管
页数 文件大小 规格书
7页 59K
描述
Rectifier diodes fast, soft-recovery

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BY229F-800 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.79
配置：SINGLE二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.8 VJESD-609代码：e0
最大非重复峰值正向电流：65 A元件数量：1
最高工作温度：150 °C最大输出电流：7 A
最大重复峰值反向电压：800 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：1

BY229F-800 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
Rectifier diodes  
fast, soft-recovery  
BY229F, BY229X series  
FEATURES  
SYMBOL  
QUICK REFERENCE DATA  
VR = 200 V/ 400 V/ 600 V/800 V  
IF(AV) = 8 A  
• Low forward volt drop  
• Fast switching  
• Soft recovery characteristic  
• High thermal cycling performance  
• Isolated mounting tab  
k
1
a
2
IFSM ≤ 60 A  
trr ≤ 135 ns  
GENERAL DESCRIPTION  
Glass-passivated double diffused rectifier diodes featuring low forward voltage drop, fast reverse recovery and soft  
recovery characteristic. The devices are intended for use in TV receivers, monitors and switched mode power supplies.  
The BY229F series is supplied in the conventional leaded SOD100 package.  
The BY229X series is supplied in the conventional leaded SOD113 package.  
PINNING  
SOD100  
SOD113  
PIN  
DESCRIPTION  
cathode  
anode  
isolated  
case  
case  
1
2
tab  
1
2
1
2
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
BY229F- / BY229X-  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
200 400 600 800  
200 400 600 800  
VRSM  
Peak non-repetitive reverse  
voltage  
-
V
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak repetitive reverse voltage  
Crest working reverse voltage  
Continuous reverse voltage  
Average forward current1  
-
-
-
200 400 600 800  
150 300 500 600  
150 300 500 600  
V
V
V
IF(AV)  
square wave; δ = 0.5;  
hs ≤ 83 ˚C  
sinusoidal; a = 1.57;  
hs ≤ 90 ˚C  
-
-
8
7
A
A
T
T
IF(RMS)  
IFRM  
RMS forward current  
Peak repetitive forward current t = 25 µs; δ = 0.5;  
-
-
11  
16  
A
A
T
hs ≤ 83 ˚C  
IFSM  
Peak non-repetitive forward  
current  
t = 10 ms  
-
-
60  
66  
A
A
t = 8.3 ms  
sinusoidal; Tj = 150 ˚C  
prior to surge; with  
reapplied VRWM(max)  
t = 10 ms  
I2t  
Tstg  
Tj  
I2t for fusing  
Storage temperature  
Operating junction temperature  
-
-40  
-
18  
150  
150  
A2s  
˚C  
˚C  
1. Neglecting switching and reverse current losses.  
September 1998  
1
Rev 1.200  
1234567

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