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BY229X-400

更新时间： 2024-01-08 12:18:58

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恩智浦 - NXP		整流二极管
页数	文件大小	规格书
7页	59K
描述
Rectifier diodes fast, soft-recovery

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BY229X-400 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	PLASTIC, ITO-220AC, FULL PACK-2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.76
应用：	EFFICIENCY	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PSFM-T2
最大非重复峰值正向电流：	100 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最大输出电流：	8 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	400 V
最大反向恢复时间：	0.145 µs	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
Base Number Matches：	1

BY229X-400 数据手册

Philips Semiconductors

Product specification

Rectifier diodes

fast, soft-recovery

BY229F, BY229X series

FEATURES

SYMBOL

QUICK REFERENCE DATA

V_R= 200 V/ 400 V/ 600 V/800 V

I_F(AV)= 8 A

• Low forward volt drop

• Fast switching

• Soft recovery characteristic

• High thermal cycling performance

• Isolated mounting tab

I_FSM≤ 60 A

t_rr≤ 135 ns

GENERAL DESCRIPTION

Glass-passivated double diffused rectifier diodes featuring low forward voltage drop, fast reverse recovery and soft

recovery characteristic. The devices are intended for use in TV receivers, monitors and switched mode power supplies.

The BY229F series is supplied in the conventional leaded SOD100 package.

The BY229X series is supplied in the conventional leaded SOD113 package.

PINNING

SOD100

SOD113

DESCRIPTION

cathode

anode

isolated

case

tab

LIMITING VALUES

Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).

SYMBOL PARAMETER

CONDITIONS

BY229F- / BY229X-

MIN.

MAX.

UNIT

200 400 600 800

V_RSM

Peak non-repetitive reverse

voltage

V_RRM

V_RWM

V_R

Peak repetitive reverse voltage

Crest working reverse voltage

Continuous reverse voltage

Average forward current¹

200 400 600 800

150 300 500 600

I_F(AV)

square wave; δ = 0.5;

_hs≤ 83 ˚C

sinusoidal; a = 1.57;

_hs≤ 90 ˚C

I_F(RMS)

I_FRM

RMS forward current

Peak repetitive forward current t = 25 µs; δ = 0.5;

_hs≤ 83 ˚C

I_FSM

Peak non-repetitive forward

current

t = 10 ms

t = 8.3 ms

sinusoidal; T_j= 150 ˚C

prior to surge; with

reapplied V_RWM(max)

t = 10 ms

I²t

T_stg

T_j

I²t for fusing

Storage temperature

Operating junction temperature

-40

150

A²s

˚C

1. Neglecting switching and reverse current losses.

September 1998

Rev 1.200

12 3 4 5 6 7

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