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| 生命周期： | Active | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 3.5 A | 集电极-发射极最大电压： | 200 V |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | NPN |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUX51N | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39 |
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| BUX51SMD | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed |
|
| BUX51SMD05 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed |
|
| BUX51X | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39 |
|
| BUX52 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 250V V(BR)CEO | 3.5A I(C) | TO-39 |
|
| BUX52SMD | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed |
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| BUX52SMD05 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 250V V(BR)CEO | 3.5A I(C) | SMT |
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| BUX53 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device |
|
| BUX53SMD | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed |
|
| BUX53SMD05 | ETC |
获取价格 |
NPN |
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