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BUX66

更新时间： 2024-09-24 06:44:51

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	156K
描述
isc Silicon NPN Power Transistors

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BUX66 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.58
Base Number Matches：	1

BUX66 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistors

BUX66/A

DESCRIPTION

·Contunuous Collector Current-I_C= -2A

·Power Dissipation-P_D= 35W @T_C= 25℃

·Collector-Emitter Saturation Voltage-

: V_CE(sat)= -2.5V(Max)@ I_C= -1A

APPLICATIONS

·Designed for high-speed switching and linear amplifier appli-

cation for high-voltage operational amplifiers, switching regu-

lators, converters,deflection stages and high fidelity amplifiers.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

-200

-300

-150

-250

-6

UNIT

BUX66

V_CBO

Collector-Base Voltage

BUX66A

BUX66

V_CEO

Collector-Emitter Voltage

BUX66A

V_EBO

Emitter-Base Voltage

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

Base Current

I_C

-2.0

I_CP

-5.0

I_B

-1.0

P_C

T_J

Collector Power Dissipation@T_C=25℃

Junction Temperature

℃

200

Storage Temperature

-65~200

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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