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BUX11

更新时间： 2024-02-19 22:04:48

品牌	Logo	应用领域
COMSET		晶体晶体管高功率电源
页数	文件大小	规格书
3页	125K
描述
HIGH CURRENT, HIGH SPEED , HIGH POWER TRANSISTOR

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BUX11 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.7	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	20 A	集电极-发射极最大电压：	200 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	20
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	8 MHz	Base Number Matches：	1

BUX11 数据手册

NPN BUX11

HIGH CURRENT, HIGH SPEED , HIGH POWER

TRANSISTOR

The BUX11 is silicon multiepitaxial planar NPN transistors in Jedec TO-3.

They are intended for use in switching and linear appications in military and industrial equipments.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

Ratings

Value

Unit

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Collector Current

I_B= 0

I_E= 0

I_C= 0

V_BE= -1.5V

V_CEO

200

250

7.0

250

V_CBO

V_EBO

V_CEX

I_C

Collector Peak Current

Base Current

t_p= 10ms

I_CM

I_B

Total Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

@ T_C= 25°

P_t

T_J

T_Stg

150

200

-65 to +200

Watts

°C

THERMAL CHARACTERISTICS

Symbol

Ratings

Value

Unit

Thermal Resistance, Junction to Case

R_thJC

1.17

°C/W

COMSET SEMICONDUCTORS

1/3

12 3

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BUX11_12	COMSET	HIGH CURRENT, HIGH SPEED , HIGH POWER TRANSISTOR	获取价格
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