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BUF634TG3

更新时间： 2024-02-08 22:03:09
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BB /
页数 文件大小 规格书
12页 249K
描述
250mA HIGH-SPEED BUFFER

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BUF634TG3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：SFM
包装说明：SFM, SIP5,.1,67TB针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01Factory Lead Time：6 weeks
风险等级：7.62放大器类型：BUFFER
最大平均偏置电流 (IIB)：20 µA标称带宽 (3dB)：180 MHz
25C 时的最大偏置电流 (IIB)：20 µA最大输入失调电压：100000 µV
JESD-30 代码：R-PSFM-T5JESD-609代码：e3
负供电电压上限：-18 V标称负供电电压 (Vsup)：-15 V
功能数量：1端子数量：5
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SFM
封装等效代码：SIP5,.1,67TB封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT包装方法：TUBE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：+-15 V
认证状态：Not Qualified标称压摆率：2000 V/us
子类别：Buffer Amplifier最大压摆率：20 mA
供电电压上限：18 V标称供电电压 (Vsup)：15 V
表面贴装：NO技术：BIPOLAR
温度等级：AUTOMOTIVE端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子节距：1.7 mm
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

BUF634TG3 数据手册

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TYPICAL PERFORMANCE CURVES  
At TA = +25°C, VS = ±15V, unless otherwise noted.  
GAIN and PHASE vs FREQUENCY  
vs QUIESCENT CURRENT  
GAIN and PHASE vs FREQUENCY  
vs TEMPERATURE  
10  
10  
5
RL = 100Ω  
RS = 50Ω  
VO = 10mV  
RL = 100Ω  
RS = 50Ω  
VO = 10mV  
5
0
0
Wide BW  
Low IQ  
–5  
–5  
–10  
–15  
–10  
–15  
0
–10  
–20  
–30  
–40  
–50  
0
–10  
–20  
–30  
–40  
–50  
Wide BW  
IQ = 15mA  
IQ = 9mA  
IQ = 4mA  
IQ = 2.5mA  
IQ = 1.5mA  
TJ = –40°C  
TJ = 25°C  
TJ = 125°C  
Low IQ  
1M  
1M  
1M  
10M  
100M  
1G  
1M  
1M  
1M  
10M  
100M  
1G  
Frequency (Hz)  
Frequency (Hz)  
GAIN and PHASE vs FREQUENCY  
vs SOURCE RESISTANCE  
GAIN and PHASE vs FREQUENCY  
vs LOAD RESISTANCE  
10  
5
10  
5
RL = 100Ω  
VO = 10mV  
RS = 50Ω  
VO = 10mV  
0
0
Wide BW  
Low IQ  
Wide BW  
Low IQ  
–5  
–10  
–15  
–5  
–10  
–15  
0
–10  
–20  
–30  
–40  
–50  
0
–10  
–20  
–30  
–40  
–50  
Wide BW  
Wide BW  
RS = 0Ω  
RS = 50Ω  
RS = 100Ω  
RL = 1kΩ  
RL = 100Ω  
RL = 50Ω  
Low IQ  
Low IQ  
10M  
100M  
1G  
10M  
100M  
1G  
Frequency (Hz)  
Frequency (Hz)  
GAIN and PHASE vs FREQUENCY  
vs LOAD CAPACITANCE  
GAIN and PHASE vs FREQUENCY  
vs LOAD CAPACITANCE  
10  
5
10  
RL = 100Ω  
RS = 50Ω  
VO = 10mV  
RL = 100Ω  
RS = 50Ω  
VO = 10mV  
Low IQ Mode  
5
0
0
–5  
–10  
–15  
–5  
–10  
–15  
Wide BW Mode  
0
–10  
–20  
–30  
–40  
–50  
0
–10  
–20  
–30  
–40  
–50  
CL = 0pF  
CL = 0  
CL = 50pF  
CL = 200pF  
CL = 1nF  
CL = 50pF  
CL = 200pF  
CL = 1nF  
10M  
100M  
1G  
10M  
100M  
1G  
Frequency (Hz)  
Frequency (Hz)  
®
4
BUF634  
1234567...12

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