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BUB323ZT4

更新时间： 2024-09-30 22:15:03
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
12页 122K
描述
NPN Silicon Power Darlington

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BUB323ZT4 技术参数

是否无铅： 含铅生命周期：Obsolete
包装说明：CASE 418B-04, D2PAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.21外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：10 A集电极-发射极最大电压：350 V
配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：500
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：240
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：150 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：2 MHz
Base Number Matches：1

BUB323ZT4 数据手册

 浏览型号BUB323ZT4的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BUB323ZT4的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BUB323ZT4的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BUB323ZT4的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BUB323ZT4的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BUB323ZT4的Datasheet PDF文件第7页 
BUB323Z  
NPN Silicon Power  
Darlington  
High Voltage Autoprotected  
D2PAK for Surface Mount  
http://onsemi.com  
The BUB323Z is a planar, monolithic, high–voltage power  
Darlington with a built–in active zener clamping circuit. This device is  
specifically designed for unclamped, inductive applications such as  
Electronic Ignition, Switching Regulators and Motor Control, and  
exhibit the following main features:  
AUTOPROTECTED  
DARLINGTON  
10 AMPERES  
360–450 VOLTS CLAMP  
150 WATTS  
• Integrated High–Voltage Active Clamp  
• Tight Clamping Voltage Window (350 V to 450 V) Guaranteed  
Over the –40°C to +125°C Temperature Range  
• Clamping Energy Capability 100% Tested in a Live  
Ignition Circuit  
• High DC Current Gain/Low Saturation Voltages  
Specified Over Full Temperature Range  
360 V  
CLAMP  
• Design Guarantees Operation in SOA at All Times  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
350  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Collector–Emitter Sustaining Voltage  
Collector–Emitter Voltage  
V
CEO  
V
EBO  
6.0  
Collector Current – Continuous  
– Peak  
I
C
10  
20  
I
MARKING DIAGRAM  
CM  
Base Current  
– Continuous  
– Peak  
I
3.0  
6.0  
Adc  
B
I
BM  
BUB323Z  
YWW  
Total Power Dissipation  
P
D
@ T = 25_C  
150  
1.0  
C
Watts  
Derate above 25_C  
W/_C  
_C  
2
D PAK  
CASE 418B  
STYLE 1  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–65 to  
+175  
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
BUB323Z= Specific Device Code  
Symbol  
Max  
1.0  
Unit  
_C/W  
_C/W  
_C  
Y
= Year  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
R
θ
JC  
JA  
L
WW  
= Work Week  
R
62.5  
260  
θ
Maximum Lead Temperature  
for Soldering Purposes,  
T
1/8″ from Case for 5 Seconds  
ORDERING INFORMATION  
Device  
Package  
Shipping  
2
BUB323Z  
D PAK  
50 Units/Rail  
2
BUB323ZT4  
D PAK  
800/Tape & Reel  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001  
1
Publication Order Number:  
September, 2001 – Rev. 0  
BUB323Z/D  
1234567...12

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BUB323ZT4 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BUB323ZG ONSEMI

完全替代

 NPN Silicon Power Darlington High Voltage Autoprotected D2PAK for Surface Mount
BUB323ZT4G ONSEMI

完全替代

 NPN Silicon Power Darlington High Voltage Autoprotected D2PAK for Surface Mount
BUB323Z ONSEMI

类似代替

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BUB323ZT4G ONSEMI

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 		NPN Silicon Power Darlington High Voltage Autoprotected D2PAK for Surface Mount
BUB931T STMICROELECTRONICS

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 		HIGH VOLTAGE IGNITION COIL DRIVER NPN POWER DARLINGTONS
BUB931TT4 STMICROELECTRONICS

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 		TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 400V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-263AB
BUB941T ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 400V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-263
BUB941TT4 STMICROELECTRONICS

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 		15A, 400V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-263, TO-263, 3 PIN
BUB941ZT STMICROELECTRONICS

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BUB941ZTT4 ETC

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