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BTS949

更新时间: 2024-01-17 04:34:27
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英飞凌 - INFINEON 开关电源开关
页数 文件大小 规格书
11页 183K
描述
Smart Lowside Power Switch

BTS949 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:,
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.39.00.01风险等级:5.32
内置保护:OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL输入特性:SCHMITT TRIGGER
接口集成电路类型:BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVERJESD-30 代码:R-PSFM-T5
功能数量:1端子数量:5
输出特性:OPEN-DRAIN输出电流流向:SINK
标称输出峰值电流:150 A输出极性:TRUE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT认证状态:Not Qualified
最大压摆率:0.1 mA标称供电电压:5 V
表面贴装:NO技术:MOS
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
断开时间:170 µs接通时间:100 µs
Base Number Matches:1

BTS949 数据手册

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BTS 949  
On-state resistance  
Maximum allowable power dissipation  
R
= f(T ); I =19A; V =10V  
P
= f(T )  
ON  
j
D
IN  
tot  
c
BTS 949  
40  
260  
W
m  
220  
200  
180  
160  
140  
120  
100  
80  
30  
25  
20  
15  
10  
5
R
P
max.  
typ.  
60  
40  
20  
0
0
°C  
-50 -25  
0
25  
50  
75  
100  
150  
°C  
150  
0
20  
40  
60  
80 100 120  
160  
T
j
On-state resistance  
= f(T ); I = 19A; V =5V  
Typ. input threshold voltage  
R
V
= f(T ); I =3,9A; V =12V  
ON  
j
D
IN  
IN(th)  
j
D
DS  
45  
2.2  
V
mΩ  
1.8  
1.6  
35  
30  
25  
20  
15  
10  
5
1.4  
max.  
R
V
1.2  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0.0  
typ.  
0
°C  
-50 -25  
0
25  
50  
75  
100  
150  
°C  
-50 -25  
0
25  
50  
75  
100  
150  
T
T
j
j
Page 6  
02.12.1998  
Semiconductor Group  

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