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BTS949E3062ANTMA1

更新时间： 2024-01-29 19:06:17

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英飞凌 - INFINEON		驱动接口集成电路
页数	文件大小	规格书
11页	181K
描述
Buffer/Inverter Based Peripheral Driver, 220A, PSSO4,

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BTS949E3062ANTMA1 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	TO-263,
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	5.63
内置保护：	TRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL	接口集成电路类型：	BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER
JESD-30 代码：	R-PSSO-G4	长度：	10.5 mm
功能数量：	1	端子数量：	4
输出电流流向：	SINK	标称输出峰值电流：	220 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TO-263
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	4.6 mm
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.7 mm	端子位置：	SINGLE
断开时间：	170 µs	接通时间：	100 µs
宽度：	9.9 mm	Base Number Matches：	1

BTS949E3062ANTMA1 数据手册

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HITFET BTS 949

Smart Lowside Power Switch

Features

Product Summary

Drain source voltage

On-state resistance

Current limit

• Logic Level Input

• Input Protection (ESD)

• Thermal Shutdown

• Overload protection

• Short circuit protection

mΩ

DS(on)

9.5 A

D(lim)

Nominal load current

Clamping energy

D(ISO)

6000 mJ

• Overvoltage protection

• Current limitation

• Maximum current adjustable with external resistor

• Current sense

• Status feedback with external input resistor

• Analog driving possible

Application

• All kinds of resistive, inductive and capacitive loads in switching or

linear applications

• µC compatible power switch for 12 V and 24 V DC applications

• Replaces electromechanical relays and discrete circuits

General Description

N channel vertical power FET in Smart SIPMOS chip on chip tech-

nology. Fully protected by embedded protected functions.

LOAD

Drain

Overvoltage

protection

Current

dv/dt

limitation

Over-

temperature

protection

Overload

protection

Short circuit

ESD

protection

Source

HITFET

Page 1

02.12.1998

Semiconductor Group

12 3 4 5 6 7...11

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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