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BTS949E3062ANTMA1

更新时间： 2024-02-23 16:58:21

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英飞凌 - INFINEON		驱动接口集成电路
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11页	181K
描述
Buffer/Inverter Based Peripheral Driver, 220A, PSSO4,

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BTS949E3062ANTMA1 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	TO-263,
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	5.63
内置保护：	TRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL	接口集成电路类型：	BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER
JESD-30 代码：	R-PSSO-G4	长度：	10.5 mm
功能数量：	1	端子数量：	4
输出电流流向：	SINK	标称输出峰值电流：	220 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TO-263
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	4.6 mm
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.7 mm	端子位置：	SINGLE
断开时间：	170 µs	接通时间：	100 µs
宽度：	9.9 mm	Base Number Matches：	1

BTS949E3062ANTMA1 数据手册

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BTS 949

Electrical Characteristics

Parameter

Symbol

Values

typ. max.

Unit

at T =25°C, unless otherwise specified

min.

Characteristics

Initial peak short circuit current limit

175

D(SCp)

V = 10 V, V = 12 V

Current limit

D(lim)

V = 10 V, V = 12 V, t = 350 µs,

T = -40...+150 °C, without R

9.5

V = 10 V, V = 12 V, t = 350 µs,

T = -40...+150 °C, R = 0 Ω

150

220

270

Dynamic Characteristics

Turn-on time V to 90% I :

R = 1 Ω, V = 0 to 10 V, V = 12 V

100

170

µs

off

Turn-off time

V to 10% I :

R = 1 Ω, V = 10 to 0 V, V = 12 V

ꢀG9 ꢁGW

V/µs

Slew rate on

70 to 50% V :

'6 RQ

R = 1 Ω, V = 0 to 10 V, V = 12 V

G9 ꢁGW

Slew rate off

50 to 70% V :

'6 RII

R = 1 Ω, V = 10 to 0 V, V = 12 V

Protection Functions

Thermal overload trip temperature

150

165

°C

Unclamped single pulse inductive energy

I = 19 A, T = 25 °C, V = 32 V

6000

1800

I = 19 A, T = 150 °C, V = 32 V

Inverse Diode

Inverse diode forward voltage

1,1

I = 5*19A, t = 300 µS, V = 0 V

Device switched on into existing short circuit (see diagram Determination of I

. Dependant on the

D(lim)

application, these values might be exceeded for max. 50 µs in case of short circuit occurs while the

device is on condition

Page 4

02.12.1998

Semiconductor Group

1 2 345 6 7...11

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