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Datasheet > 驱动程序和接口 > 外围驱动器> BTS432D2E3062A
BTS432D2E3062A PDF预览

BTS432D2E3062A

更新时间： 2024-01-04 14:06:31
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 外围驱动器驱动程序和接口开关接口集成电路电源开关
页数 文件大小 规格书
14页 187K
描述
Smart Highside Power Switch

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BTS432D2E3062A 技术参数

生命周期：TransferredReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.07Is Samacsys：N
内置保护：OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL; UNDER VOLTAGE输入特性：SCHMITT TRIGGER
接口集成电路类型：BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVERJESD-30 代码：R-PSSO-G4
功能数量：1端子数量：4
输出特性：OPEN-SOURCE输出电流流向：SOURCE
标称输出峰值电流：44 A输出极性：TRUE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES技术：MOS
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
断开时间：80 µs接通时间：300 µs
Base Number Matches：1

BTS432D2E3062A 数据手册

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BTS 432 D2  
Protection Functions  
Initial peak short circuit current limit (pin 3 to 5)8),  
IL(SCp)  
( max 400 ms if VON > VON(SC)  
)
Tj =-40°C:  
Tj =25°C:  
Tj =+150°C:  
--  
--  
24  
--  
44  
--  
74  
--  
--  
A
Repetitive short circuit current limit  
IL(SCr)  
Tj = Tjt (see timing diagrams, page 10)  
22  
80  
35  
--  
--  
A
Short circuit shutdown delay after input pos. slope  
VON > VON(SC) Tj =-40..+150°C: td(SC)  
,
400  
ms  
min value valid only, if input "low" time exceeds 30 ms  
Output clamp (inductive load switch off)  
at VOUT = Vbb - VON(CL), IL= 30 mA  
VON(CL)  
--  
58  
--  
V
Short circuit shutdown detection voltage  
(pin 3 to 5)  
VON(SC)  
Tjt  
--  
150  
--  
8.3  
--  
--  
--  
V
°C  
K
Thermal overload trip temperature  
Thermal hysteresis  
Inductive load switch-off energy dissipation9),  
DTjt  
EAS  
10  
--  
--  
--  
1.7  
1.3  
1.0  
J
Tj Start = 150 °C, single pulse  
Vbb = 12 V: ELoad12  
Vbb = 24 V: ELoad24  
Reverse battery (pin 3 to 1) 10)  
Integrated resistor in Vbb line  
-Vbb  
--  
--  
--  
32  
--  
V
Rbb  
120  
W
Diagnostic Characteristics  
Open load detection current  
Tj=-40 °C: IL (OL)  
Tj=25..150°C:  
2
2
--  
--  
900  
750  
mA  
(on-condition)  
7)  
8)  
Add I , if I > 0, add I , if V >5.5 V  
Short circuit current limit for max. duration of 400 ms, prior to shutdown (see t  
ST  
ST  
IN  
IN  
page 4)  
d(SC)  
9)  
While demagnetizing load inductance, dissipated energy in PROFET is E  
=
AS  
VON(CL) * iL(t) dt, approx.  
VON(CL)  
VON(CL) - Vbb  
2
L
1
E
= / * L * I * (  
AS  
), see diagram page 8  
2
10)  
Reverse load current (through intrinsic drain-source diode) is normally limited by the connected load. Reverse  
current I of » 0.3 A at V = -32 V through the logic heats up the device. Time allowed under these  
GND  
bb  
condition is dependent on the size of the heatsink. Reverse I  
can be reduced by an additional external  
GND  
GND-resistor (150 W). Input and Status currents have to be limited (see max. ratings page 2 and circuit page  
7).  
Infineon Technologies AG  
Page 4  
1999-Mar.-22  
1234567...14

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